Hitung kerapatan elektron dan lubang dalam semikonduktor yang tidak didoping.
Parameter Semikonduktor
Hasil Perhitungan
Enter parameters to calculate
Quick Reference
n_iIntrinsic carrier concentration
N_c, N_vEffective density of states
E_gEnergy bandgap
kBoltzmann constant
Overview
Dalam semikonduktor intrinsik (murni), konsentrasi elektron bergerak pada pita konduksi sama dengan konsentrasi lubang pada pita valensi. Konsentrasi ini ($n_i$) sangat bergantung pada suhu dan energi celah pita material.
💡
Pro Tips
Konsentrasi pembawa intrinsik meningkat secara eksponensial seiring dengan suhu.
Silikon pada suhu kamar (300K) memiliki sekitar $10^{10}$ pembawa per cm³.
Bahan dengan celah pita yang lebih lebar mempunyai konsentrasi pembawa intrinsik yang lebih rendah.
!
Fun Facts
"Pembawa intrinsik adalah alasan mengapa transistor mulai bocor dan rusak pada suhu tinggi."
"Suhu nol mutlak berarti nol pembawa intrinsik."
"Doping semikonduktor (menambahkan pengotor) menghasilkan semikonduktor ekstrinsik dengan kepadatan pembawa yang jauh lebih tinggi."
