Katkısız bir yarı iletkendeki elektronların ve deliklerin yoğunluğunu hesaplayın.
Yarı İletken Parametreleri
Hesaplama Sonuçları
Enter parameters to calculate
Quick Reference
n_iIntrinsic carrier concentration
N_c, N_vEffective density of states
E_gEnergy bandgap
kBoltzmann constant
Overview
Gerçek (saf) bir yarı iletkende, iletkenlik bandındaki hareketli elektronların konsantrasyonu değerlik bandındaki deliklerin konsantrasyonuna eşittir. Bu konsantrasyon ($n_i$) büyük ölçüde sıcaklığa ve malzemenin bant aralığı enerjisine bağlıdır.
💡
Pro Tips
İçsel taşıyıcı konsantrasyonu sıcaklıkla birlikte üstel olarak artar.
Oda sıcaklığındaki (300K) silikonun cm³ başına yaklaşık 10^{10}$ taşıyıcısı vardır.
Daha geniş bant aralığına sahip malzemeler daha düşük içsel taşıyıcı konsantrasyonlarına sahiptir.
!
Fun Facts
"İçsel taşıyıcılar, transistörlerin yüksek sıcaklıklarda sızıntı yapmasının ve arızalanmasının nedenidir."
"Mutlak sıfır sıcaklık, sıfır içsel taşıyıcı anlamına gelir."
"Bir yarı iletkenin katkılanması (safsızlıkların eklenmesi), çok daha yüksek taşıyıcı yoğunluklara sahip dışsal yarı iletkenler oluşturur."
